Transistores de potencia en modo E GaN de 650 V en encapsulado 8 x 8 DFN

El encapsulado doble plano sin plomo (DFN) de 8 x 8 de los dispositivos que se presentan a continuación garantiza una disipación eficaz del calor y un diseño compacto
RFPD
Transistores de potencia de modo de mejora de 650 V de GaN de Innoscience

Transistores de potencia de modo de mejora de 650 V de GaN de Innoscience

Los transistores de potencia de GaN sobre silicio de 650 V de Innoscience están diseñados para aplicaciones de potencia de alto voltaje. El encapsulado plano doble sin plomo (DFN) de 8 x 8 de los dispositivos que se presentan a continuación garantiza una disipación eficiente del calor y un diseño compacto, lo que los hace ideales para una amplia gama de aplicaciones.

Innoscience diseña, desarrolla y fabrica dispositivos GaN de alto rendimiento y fiabilidad para una amplia gama de aplicaciones y tensiones (LV:30V-150V y HV: 650V), garantizando un excelente rendimiento, fiabilidad, soporte, seguridad de suministro, gran capacidad y precios competitivos gracias a sus capacidades de gran volumen, tamaño de oblea de 8 pulgadas y herramientas avanzadas de fabricación de alto rendimiento.

Características principales - Transistores de potencia en modo de mejora GaN de 650 V

Beneficios

  • Fabricación en serie y precios competitivos
  • Altas frecuencias de conmutación
  • Corriente de recuperación inversa cero
  • Ron x Qg 1/10 de los MOSFET de Si
  • Protección ESD integrada
  • Soporta picos de tensión de hasta 750 V en RT y HT
  • Fiable
  • Compatible pin a pin con otros

Aplicaciones

  • Convertidores CA-CC
  • Convertidores CC-CC
  • Tótem PFC
  • Carga rápida de la batería
  • Conversión de potencia de alta densidad
  • Conversión de potencia de alta eficiencia

Transistores de potencia en modo de mejora de 650 V de GaN en encapsulado DFN de 8 x 8

Número de pieza
VDS,max
RDS(on),max
RDS(on),typ
Actual
INN650D140A
650 V
140 mΩ
106 mΩ
17 A
INN650D190A
650 V
190 mΩ
138 mΩ
11.5 A
INN650D240A
650 V
240 mΩ
165 mΩ
10 A
INN650D350A
650 V
350 mΩ
270 mΩ
6 A

Más información en Recursos de Innoscience

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