En stock: Innoscience INN100W032A

HEMT de GaN sobre silicio en modo de realce en WLCSP con barra de soldadura y tamaño de encapsulado de 3,5 x 2,13 mm
INN100W032A: Transistor de potencia de GaN en modo de mejora de 100 V 

INN100W032A: Transistor de potencia de GaN en modo de mejora de 100 V 

En INN100W032A es un transistor de potencia GaN en modo de mejora de 100 V para audio de clase D, convertidores CC-CC de alta frecuencia, accionamientos de motores y mucho más.

Innoscience ofrece un rendimiento, una fiabilidad y una durabilidad excepcionales, garantizando siempre resultados de alta calidad.

INN100W032A - Innoscience

Un transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) en modo de mejora de GaN sobre silicio en WLCSP de barra soldada con un tamaño de encapsulado de 3,5 mm x 2,13 mm.

VDS,max
100V
RDS(on)Max
3,2mΩ
RDS(on)Typ
2,4mΩ

Características

  • Tecnología HEMT en modo E de GaN sobre SiC
  • Carga de puerta muy baja
  • Muy baja resistencia
  • Envase muy pequeño
  • Cobro revertido cero
  • Aplicaciones

  • Rectificación sincrónica
  • Audio de clase D
  • Convertidor CC-CC de alta frecuencia
  • Estación base de comunicaciones
  • Conductor del motor
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