- Número de pieza Mfg: GS-065-030-2-L-MR
El GS-065-030-2-L es el primer producto GaN del mercado que permite a los diseñadores obtener las ventajas del GaN de bajo coste en aplicaciones de hasta 3000 W de potencia. Esta nueva pieza se suma a la familia GaN Systems de transistores GaN de bajo coste que permite a los diseñadores dar el siguiente paso en la mejora del rendimiento en eficiencia, gestión térmica y densidad de potencia con una mayor flexibilidad de diseño y rentabilidad para satisfacer las nuevas demandas de los clientes de consumo, industriales y centros de datos.
- Características
- Transistor de potencia en modo de mejora de 650 V
- Envasado PDFN pequeño de 8 x 8 mm con refrigeración inferior
- RDS(on) = 50 mOhmios
- IDS(máx) = 30 A
- Accionamiento de puerta simple Requisitos (0 V a 6 V)
- Accionamiento de puerta tolerante a transitorios ( 20/+10 V)
- Frecuencia de conmutación muy alta (> 10 MHz)
- Tiempos de subida y bajada rápidos y controlables
- Clavija Source Sense (SS) para optimizar el accionamiento de la puerta
- Capacidad de conducción inversa
- Pérdida de recuperación inversa cero
- Cumple la directiva RoHS 3 (6+4)
- Aplicaciones
- Tótem sin puente PFC
- Fuente de alimentación de alta densidad para consumo, industria y centros de datos
- Adaptadores de alta potencia
- Controladores de iluminación LED
- Accionamientos de motores industriales y de electrodomésticos
- Inversor solar
- Sistemas de alimentación ininterrumpida
- Controladores láser
- Transferencia inalámbrica de energía
