Salida simple y doble SMD de 3 vatios

Cumple los estrictos requisitos medioambientales de las energías renovables
RFPD
Convertidores CC/CC RA3

Convertidores CC/CC RA3

Convertidores CC/CC SMD de 3 W de una y dos salidas de la serie RA3 de RECOM para controladores de puerta de transistores de potencia de Si, SiC y GaN

La serie RA3 de RECOM incluye convertidores CC/CC de 3 vatios especialmente diseñados para alimentar controladores de puerta de transistores. Los módulos están disponibles con tensiones de entrada de 5, 12 ó 24 VCC con salidas asimétricas simples o dobles para cubrir los últimos transistores Si, SiC y GaN del mercado actual. El diseño compacto SMD garantiza que el espacio necesario en la placa sea mínimo, especialmente en placas de circuito impreso multicapa. Los módulos ofrecen un aislamiento robusto de 5,2 kVCC/1 minuto y una capacitancia de aislamiento inferior a 10 pF. El rango de temperatura de funcionamiento de -40C a +85°C a plena carga satisface los exigentes requisitos medioambientales de las energías renovables, como inversores solares, calefacción por inducción, telecomunicaciones, cargadores de baterías de vehículos eléctricos y accionamientos de motores.

Características

  • Convertidor CC/CC aislado de 3 W
  • Aislamiento alto de 5,2 kVCC/1 minuto
  • Amplio rango de temperaturas de funcionamiento: de -40°C a +85°C
  • Ideal para potencia de accionamiento de compuertas IGBT/Si/SiC/GaN
  • Certificación IEC/EN/UL CSA 62368-1
  • Capacidad de aislamiento inferior a 10pF
  • Encapsulado compacto DIP16 SMD

    • RECOM Convertidores CC/CC RA3

    Número de pieza
    Tensión nominal de entrada (VCC)
    Tensión de salida 1/2 (VDC)
    Corriente de salida (mA)
    Eficiencia típ.(1)
    (%)
    Máx. Carga capacitiva(2)
    (μF)
    RA3-0508S/SMD
    5
    8
    375
    81
    470
    RA3-050701D/SMD
    5
    +7/-1
    +420/-100
    79
    200/680
    RA3-051503D/SMD
    5
    +15/-3
    +100/-500
    78
    150/680
    RA3-051505D/SMD
    5
    +15/-5
    +100/-300
    81
    47/680
    RA3-052005D/SMD
    5
    +20/-5
    +75/-300
    80
    47/680
    RA3-1208S/SMD
    12
    8
    375
    81
    470
    RA3-1209S/SMD
    12
    9
    334
    80
    470
    RA3-120701D/SMD
    12
    +7/-1
    +420/-100
    82
    200/680
    RA3-121503D/SMD
    12
    +15/-3
    +100/-500
    79
    150/680
    RA3-121505D/SMD
    12
    +15/-5
    +100/-300
    81
    47/680
    RA3-122005D/SMD
    12
    +20/-5
    +75/-300
    80
    47/680
    RA3-2408S/SMD
    24
    8
    375
    82
    470
    RA3-240701D/SMD
    24
    +7/-1
    +420/-100
    80
    200/680
    RA3-241503D/SMD
    24
    +15/-3
    +100/-500
    80
    150/680
    RA3-241505D/SMD
    24
    +15/-5
    +100/-300
    81
    47/680
    RA3-242005D/SMD
    24
    +20/-5
    +75/-300
    81
    47/680

    Nota 1: La eficiencia se comprueba con la entrada nominal y a plena carga a una temperatura ambiente de +25°C.

    Nota 2: La carga máxima se prueba con una entrada nominal y una carga resistiva constante - R, disponible en cinta y carrete, cantidad mínima de 200 unidades.

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    Nuestro equipo de ingenieros de aplicaciones globales está a su disposición para responder a sus preguntas y garantizar que el diseño de su sistema de conversión de potencia o almacenamiento de energía cumpla sus expectativas de rendimiento. Si está pasando del silicio al nitruro de galio (GaN) o al carburo de silicio (SiC), le ayudaremos a identificar el dispositivo de conmutación adecuado para lograr la densidad de potencia y la mayor eficiencia que requiere su aplicación.
     
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