MOSFET Wolfspeed Muestras disponibles

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RFPD
MOSFETs y diodos Wolfspeed

MOSFETs y diodos Wolfspeed

La demanda de MOSFET y diodos de carburo de silicio (SiC) está creciendo rápidamente, sobre todo en aplicaciones de automoción, industriales y energéticas, debido a su mayor eficiencia, densidad de potencia superior y costes de sistema más bajos.

Consulte nuestra lista de productos Wolfspeed disponibles para muestreo. Haga clic en nuestro breve formulario para proporcionar los detalles de su proyecto. Nos pondremos en contacto con usted para coordinar la asistencia solicitada.

Logotipo Wolfspeed

Wolfspeed MOSFET de SiC

Envase TO-247-3

Número de pieza
Tensión de bloqueo
RDS(on)
(ID) @ 25°C 
Paquete
Muestras
C3M0075120D
1200 V
75 mΩ
30 A
TO-247-3
Solicitar muestra
C3M0120090D
900 V
120 mΩ
23 A
TO-247-3
Solicitar muestra

Envase TO-263-7

Número de pieza
Tensión de bloqueo
RDS(on)
(ID) @ 25°C 
Paquete
Muestras
C3M0060065J
600 V
60 mΩ
36 A
TO-263-7
Solicitar muestra
C3M0120100J
1000 V
120 mΩ
22 A
TO-263-7
Solicitar muestra

Wolfspeed Diodos SiC de 6ª generación

Envase TO-220-2

Número de pieza
Tensión de bloqueo
(ID) @ 25°C 
Paquete
Muestras
C6D04065A
650 V
4 A
TO-220-2
Solicitar muestra
C6D06065A
650 V
6 A
TO-220-2
Solicitar muestra
C6D08065A
650 V
8 A
TO-220-2
Solicitar muestra
C6D10065A
650 V
10 A
TO-220-2
Solicitar muestra
C4D05120A
1200 V
5 A
TO-220-2
Solicitar muestra
C4D20120A
1200 V
20 A
TO-220-2
Solicitar muestra

Envase TO-263-2

Número de pieza
Tensión de bloqueo
(ID) @ 25°C 
Paquete
Muestras
C6D04065E
650 V
4 A
TO-263-2
Solicitar muestra
C6D06065E
650 V
6 A
TO-263-2
Solicitar muestra
C6D08065E
650 V
8 A
10 A
Solicitar muestra
C6D10065E
650 V
10 A
TO-263-2
Solicitar muestra
E4D20120G
(Cualificado AEC-Q101)
1200 V
20 A
TO-263-2
Solicitar muestra

Envase TO-247-3

Número de pieza
Tensión de bloqueo
(ID) @ 25°C 
Paquete
Muestras
C6D16065D
650 V
16 A
TO-247-3
Solicitar muestra
6D20065D
650 V
20 A
TO-247-3
Solicitar muestra
C4D20120D
1200 V
32 A
TO-247-3
Solicitar muestra

Apoyo al diseño de energía y potencia

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Acerca de nuestro equipo de expertos

Nuestro equipo de ingenieros de aplicaciones globales está a su disposición para responder a sus preguntas y garantizar que el diseño de su sistema de conversión de potencia o almacenamiento de energía cumpla sus expectativas de rendimiento. Si está pasando del silicio al nitruro de galio (GaN) o al carburo de silicio (SiC), le ayudaremos a identificar el dispositivo de conmutación adecuado para lograr la densidad de potencia y la mayor eficiencia que requiere su aplicación.
 
Logotipo de la RFPD de Richardson

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