Puede utilizar este demostrador E-Fuse auxiliar de carburo de silicio de alto voltaje en aplicaciones de vehículos eléctricos híbridos (HEV) y vehículos eléctricos (EV). Este demostrador tecnológico aprovecha las ventajas de Microchipde 700V y 1200V de carburo de silicio (SiC) y otras tecnologías para proporcionar una solución completa.
Además, este diseño implementa una curva característica de tiempo-corriente (TCC) que le ayuda a migrar a aplicaciones no automovilísticas, como los disyuntores de CC de estado sólido.
Con el aumento del contenido de alta tensión en los equipos finales industriales y de automoción, aumenta la necesidad de protección. Los fusibles electrónicos, basados en la tecnología SiC, ofrecen un método más rápido y fiable para proteger las aplicaciones de electrónica de potencia. Las soluciones E-Fuse pueden detectar e interrumpir corrientes de fallo microsegundos más rápido que los métodos tradicionales. Los tiempos de respuesta rápidos limitan el pico de corriente de fallo y evitan que un evento de fallo se convierta en un fallo grave. Aproveche las siguientes ventajas de la tecnología E-Fuse:
- Utilización en sistemas de baterías de 400 V y 800 V
- Relé de estado sólido de alta tensión con protección contra sobrecorriente
- Mayor rapidez de comercialización
- Rendimiento y eficacia óptimos
- Una solución probada que evita el abastecimiento de piezas individuales
- Reducción del riesgo mediante la fiabilidad y el desarrollo acelerado
Tecnología E-Fuse Ventajas
Características
- Perfil de límite de corriente configurable
- Interfaz de comunicación LIN para configuración y diagnóstico
- Configuración de accionamiento de lado alto o bajo
- Tiempo de resistencia al cortocircuito: 10 µs
- Corriente nominal: 30A
- Rango de funcionamiento de bajo voltaje: de 9 V a 16 V
- Rango de funcionamiento de alta tensión: de 200 V a 900 V
- Temperatura de funcionamiento: -40°C a 85°C
- Uso en aplicaciones de automoción
- Diseño de hardware de automoción que utiliza únicamente componentes homologados por la AEC
- Seis variantes de este diseño de fusible E auxiliar de alta tensión que admiten tensiones de bus de 400 V y 800 V y valores de corriente continua de 10 A, 20 A y 30 A.
- Frecuencia de conmutación de hasta 20 kHz
Aplicaciones
- Calentamiento por inducción
- Accionamientos de motor
- Generación de energía / Redes inteligentes / Energía inteligente
- Ferrocarril
- Carga rápida de vehículos eléctricos
- SAI y SMPS
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Los MOSFET de SiC de Microchip se presentan en encapsulados TO-247 de 4 terminales. Estos encapsulados proporcionan acceso a la fuente Kelvin, que está unida por cable directamente a la matriz, evitando el efecto de di/dt en la inductancia de la fuente. Esto proporciona un mayor control sobre el MOSFET de SiC, especialmente en condiciones de transitorios rápidos de alta corriente.
El diseño del circuito incluye ranuras y suficiente distancia de fuga para alojar MOSFET SiC de 700 V y 1200 V. En función de la tensión y corriente nominales deseadas, puede rellenar el diseño del fusible E auxiliar de alto voltaje con los dispositivos que se muestran en la tabla siguiente.
Clasificación | Tableros de aplicaciones de demostración. | Dispositivo principal | Dispositivo secundario | 10A, 400V | MSCDR-EFUSE-001 | MSC035SMA070B4 |
|---|---|---|---|
20A, 400V | MSCDR-EFUSE-002 | MSC035SMA070B4 | MSC035SMA070B4 |
30A, 400V | MSCDR-EFUSE-003 | MSC015SMA070B4 | MSC015SMA070B4 |
10A, 800V | MSCDR-EFUSE-004 | MSC040SMA120B4 | |
20A, 800V | MSCDR-EFUSE-005 | MSC040SMA120B4 | MSC040SMA120B4 |
30A, 800V | MSCDR-EFUSE-006 | MSC025SMA120B4 | MSC025SMA120B4 |
