您可以在混合动力电动汽车 (HEV) 和电动汽车 (EV) 应用中使用这种高压辅助碳化硅电子保险丝演示器。该技术演示器利用了 Microchip的 700V 和 1200V 碳化硅 (SiC) 技术和其他技术的优势，提供完整的解决方案。
此外，该设计还实现了时间-电流特性 (TCC) 曲线，可帮助您迁移到直流固态断路器等非汽车应用中。
随着汽车和工业终端设备中高压含量的增加，对保护的需求也随之增加。采用 SiC 技术的 E-Fuse 为保护电力电子应用提供了一种更快、更可靠的方法。E-Fuse 解决方案检测和中断故障电流的速度比传统方法快微秒。快速响应时间可限制故障电流峰值，防止故障事件演变为严重故障。利用 E-Fuse 技术的以下优势：
- 可用于 400V 和 800V 电池系统
- 具有过流保护功能的高压固态继电器
- 更快上市
- 最佳性能和效率
- 经过验证的解决方案，可避免采购单个部件
- 通过可靠性和加速开发降低风险
电子保险丝技术 优点
特点
- 可配置的电流限制曲线
- 用于配置和诊断的 LIN 通信接口
- 高压侧或低压侧驱动配置
- 短路耐受时间：10 µs
- 额定电流： 30A
- 低电压工作范围：9V 至 16V
- 高压工作范围：200V 至 900V
- 工作温度范围：-40°C 至 85°C
- 汽车应用
- 只使用 AEC 合格组件的汽车硬件设计
- 这种高压辅助电子保险丝设计有六种变体，支持 400V 和 800V 母线电压，持续额定电流分别为 10A、20A 和 30A
- 开关频率高达 20 千赫
应用
- 感应加热
- 电机驱动
- 能源生产 / 智能电网 / 智能能源
- 铁路
- 电动汽车快速充电
- 不间断电源和 SMPS
特色 产品
Microchip 的 SiC MOSFET 采用 TO-247 4 引线封装。这些封装提供了对开尔文源的访问，而开尔文源是用导线直接焊接到芯片上的，从而绕过了源电感中 di/dt 的影响。这样就能更好地控制 SiC MOSFET，尤其是在快速大电流瞬态条件下。
电路布局包括插槽和足够的爬电距离，可容纳 700V 和 1200V SiC MOSFET。根据目标电压和额定电流，您可以在高压辅助 E 型保险丝设计中使用下表所示的器件。
评级 | 示范应用板。 | 主设备 | 辅助设备 | 10A, 400V | MSCDR-EFUSE-001 | MSC035SMA070B4 |
|---|---|---|---|
20A, 400V | MSCDR-EFUSE-002 | MSC035SMA070B4 | MSC035SMA070B4 |
30A, 400V | MSCDR-EFUSE-003 | MSC015SMA070B4 | MSC015SMA070B4 |
10A, 800V | MSCDR-EFUSE-004 | MSC040SMA120B4 | |
20A, 800V | MSCDR-EFUSE-005 | MSC040SMA120B4 | MSC040SMA120B4 |
30A, 800V | MSCDR-EFUSE-006 | MSC025SMA120B4 | MSC025SMA120B4 |
