En comparación con los semiconductores basados en silicio, el carburo de silicio permite una mayor eficiencia debido a las menores pérdidas conductivas, las menores pérdidas de conmutación y la mayor velocidad y frecuencia de conmutación. Pero el comportamiento de conmutación podría convertirse en un problema para el tema EMI. En esta charla técnica, hablaremos de cómo se comparan las emisiones EMI del carburo de silicio con las del silicio y de las ventajas que ofrecen los módulos SiC de Wolfspeed para compensar estas emisiones.
Relacionado Contenido
MOSFET Wolfspeed Gen 4: potencia para un rendimiento real con eficiencia de última generación
Wolfspeed ha presentado su plataforma tecnológica Gen 4, diseñada para ofrecer un rendimiento, una durabilidad y una eficiencia revolucionarios para aplicaciones de alta potencia.
Diseño modular de referencia basado en SiC de 3,3 kV
Diseño de referencia de SiC orientado a aplicaciones de alta potencia como el planchado en frío para la reducción de emisiones y el factor de forma en sistemas de alimentación de tierra a barco.
Inversor trifásico de 2300 V de Wolfspeed
El diseño de referencia del inversor trifásico de 2300 V demuestra la sencillez del diseño y la escalabilidad de los nuevos módulos de potencia SiC sin placa base de 2300 V de Wolfspeed.
