降低碳化硅设计中的电磁干扰（EMI）辐射

与半导体硅相比，碳化硅凭借更低的导通损耗、更低的开关损耗以及更高的开关速度和频率，显着提升了器件运行效率。然而，此类开关特性易产生更强的电磁干扰，该问题已成为电路设计人员需重点攻克的技术难点。在本次技术交流中，我们将探讨碳化硅与硅的电磁干扰辐射对比，以及 Wolfspeed 碳化硅模块在抵消这些辐射方面所具备的优势。