En esta charla técnica, analizamos la tensión umbral de un MOSFET de SiC y su importancia en la pérdida de conmutación y la inmunidad al ruido y los picos de tensión.
Oradores:
- Steven Chenetz, Ingeniero de aplicaciones de campo de gestión discreta y de potencia, Microchip
- Kirk Barton, Ingeniero de aplicaciones de campo, Richardson RFPD
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