Descubra los versátiles módulos de potencia IGBT 7 de Microchip, que ofrecen mayor capacidad de corriente, menores pérdidas y alta eficiencia en múltiples opciones de encapsulado.
La tecnología mSiC de Microchip ha demostrado tener una excelente estabilidad del óxido de compuerta, una ventaja bastante útil para aplicaciones de alta potencia.
Un MOSFET SiC de 1,7 kV es una opción excelente para utilizar una topología flyback de interruptor único en una aplicación de fuente de alimentación auxiliar que requiera un amplio rango de tensión de entrada.
Puede utilizar el demostrador E-Fuse auxiliar de carburo de silicio de alto voltaje en aplicaciones de vehículos eléctricos híbridos (HEV) y vehículos eléctricos (EV).
Satisfaga las necesidades de su aplicación e integre Circuitos Integrados Monolíticos de Microondas (MMIC) de alta linealidad y bajo ruido con los amplificadores de RF, preescaladores y productos de control de bajo ruido de Microchip.
El E-Fuse de Microchip, un disyuntor de estado sólido, es una solución fiable que proporciona protección contra fallos integrada para el cableado de alta tensión y los convertidores de potencia.