Los semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN) ofrecen enormes ventajas a los ingenieros de diseño, pero su capacidad de conmutación más rápida presenta algunos retos. Esta charla técnica ofrece más orientación sobre cómo afrontar estos retos para garantizar que se aprovechan al máximo las ventajas del GaN y el SiC.
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