Caracterización dinámica y métodos de medición para MOSFET de SiC

Caracterización dinámica y métodos de medición para MOSFET de SiC

20 de enero de 2022

Carburo de silicio

El carburo de silicio (SiC), con mayores valores nominales de tensión, temperaturas de funcionamiento más bajas, mayor capacidad de corriente y mejores características de recuperación, ha permitido que varias aplicaciones maximicen la eficiencia y la densidad de potencia manteniendo los costes al mínimo; sin embargo, es importante caracterizar completamente estos componentes y su rendimiento para aprovechar al máximo la tecnología SiC.

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Nuestro equipo de ingenieros de aplicaciones globales está a su disposición para responder a sus preguntas y garantizar que el diseño de su sistema de conversión de potencia o almacenamiento de energía cumpla sus expectativas de rendimiento. Si está pasando del silicio al nitruro de galio (GaN) o al carburo de silicio (SiC), le ayudaremos a identificar el dispositivo de conmutación adecuado para lograr la densidad de potencia y la mayor eficiencia que requiere su aplicación.