SiC MOSFET 的动态特性分析和测量方法

碳化硅（SiC）具有更高的额定电压、更低的工作温度、更大的电流能力和更好的恢复特性，使一些应用能够最大限度地提高效率和功率密度，同时将成本降到最低；然而，要充分利用碳化硅技术，就必须充分鉴定这些元件及其性能。

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