3 de agosto de 2022 - GINEBRA, Illinois: Richardson RFPD, Inc, una empresa de Arrow Electronics, ha anunciado hoy la disponibilidad y las capacidades completas de soporte de diseño para un nuevo amplificador de alta potencia de nitruro de galio de United Monolithic Semiconductors.
El CHA8312-99F es un HPA de GaN de dos etapas que funciona de 8 a 12 GHz y proporciona una potencia de salida de 17 W, una eficiencia de potencia añadida del 50 por ciento y una ganancia de señal pequeña de 26 dB. La pieza se ha desarrollado en un robusto proceso HEMT de GaN sobre SiC de 0,15 μm de longitud de puerta y está disponible como matriz desnuda.
El nuevo dispositivo es ideal para aplicaciones de defensa y también resulta adecuado para una amplia gama de aplicaciones y sistemas de microondas, como radares, equipos de prueba y comunicaciones.
PARA MÁS INFORMACIÓN
DAVE SILVIUS
Director de Marketing Estratégico
P: 630 262 6800
dsilvius@richardsonrfpd.com
Otras características clave de la CHA8312-99F son:
- Pout: +42,5 dBm @ +23 dBm de potencia de entrada
- Pérdida de retorno de entrada: >17 dB
- Pérdida de retorno de salida: >11 dB
- DC bias: 20 V @ 320 mA
- Tamaño del chip: 3,99 mm x 3,12 mm x 0,07 mm
Para obtener más información o adquirir este producto hoy mismo en línea, visite la página web de CHA8312-99F.
El dispositivo también está disponible llamando al 1-800-737-6937 (dentro de Norteamérica) o buscando un ingeniero de ventas local (en todo el mundo) en Local Sales Support.
Si desea conocer otros productos de United Monolithic Semiconductors, visite nuestra página de la tienda UMS.
