DOWNERS GROVE, Illinois (25 de febrero de 2026) – Richardson RFPD, Inc., una empresa de Arrow Electronics, ha anunciado la ampliación de la disponibilidad de la plataforma MOSFET de carburo de silicio (SiC) Gen 4 de Wolfspeed, diseñada para ofrecer eficiencia, un comportamiento de conmutación simplificado y fiabilidad a largo plazo para las aplicaciones de alta potencia más exigentes de la actualidad.
La tecnología Gen 4 de Wolfspeed está diseñada para mejorar el rendimiento a nivel de sistema y reducir la complejidad del diseño. Con dispositivos disponibles en clases de 750 V, 1200 V y 2300 V, la cartera es compatible con módulos de potencia, componentes discretos y formatos de matriz desnuda, lo que ofrece a los ingenieros una gran flexibilidad en los mercados industrial, de energías renovables, de recarga de vehículos eléctricos, de SAI y de conversión de alta tensión.
Mayor eficiencia y diseño simplificado
Los MOSFET de cuarta generación ofrecen menores pérdidas de conmutación y admiten frecuencias de conmutación más altas, lo que permite utilizar componentes pasivos más pequeños y una mayor densidad de potencia. Sus características de conducción optimizadas reducen las pérdidas en todo el rango de carga, lo que resulta fundamental para los inversores de tracción de vehículos eléctricos, los accionamientos de motores industriales y los sistemas de alimentación de centros de datos de IA.
Fiabilidad probada y rendimiento térmico mejorado
Basados en la tecnología SiC líder en el sector de Wolfspeed, los dispositivos Gen 4 ofrecen una mayor robustez y un funcionamiento más frío. Su compatibilidad con condiciones de activación de 15-18 V y desactivación de 0 V a -5 V ayuda a garantizar una fácil integración en las arquitecturas de alta potencia existentes, mientras que las métricas mejoradas del área de funcionamiento seguro admiten entornos más hostiles y ciclos de vida del sistema más largos.
Optimizado para aplicaciones de alta potencia en el mundo real.
La familia de MOSFET SiC de 1200 V de Wolfspeed ofrece múltiples opciones de resistencia en estado activo para ayudar a los diseñadores a equilibrar el coste, el rendimiento y la eficiencia. Las aplicaciones de conmutación dura se benefician de menores pérdidas de encendido y una mejor linealidad Coss, mientras que las topologías de conmutación suave obtienen un comportamiento más suave y una reducción de las interferencias electromagnéticas.
Número de pieza | D | K | K1 | J | J1 | J2 | U2 |
TO-247-3 | TO-247-4 | TO-247-4 (LP) | TO-263-7 | TO-263-7XL | TO-263-7XL | TSC | |
C3M0016120x | N/A | C4MS018120K* | C4MS018120K1* | C4MS018120J2* | C4MS018120U2* | ||
N/A | |||||||
N/A | |||||||
N/A | |||||||
N/A | |||||||
C4MS080120K* | C4MS080120K1* | C4MS080120J2* | C4MS080120U2* | ||||
Para obtener más información sobre los MOSFET Wolfspeed Gen 4, incluidas las alternativas a los productos Gen 3, o para solicitar una muestra, visite el sitio web de Richardson RFPD.
PARA MÁS INFORMACIÓN
OMARA AZIZ
Marketing de proveedores – Energía y electricidad
Tel.: 630 262 6800
omara.aziz@richardsonrfpd.com