Novedades
NXP® Semiconductors ha anunciado sus nuevos módulos frontales (FEM) BTS7202 RX y preconductores BTS6403/6305 de mayor potencia para MIMO (múltiple entrada múltiple salida) masiva 5G, que alcanzan los 20 W por canal. Desarrollados e implementados en el proceso de germanio de silicio (SiGe) de NXP, los dispositivos funcionan con un consumo de corriente modesto para reducir los costes operativos de los operadores de redes móviles (MNO). También ofrecen una linealidad mejorada y una figura de ruido reducida para soportar una mejor calidad de señal 5G.
Por qué es importante
A medida que las redes 5G siguen construyéndose en todo el mundo, los operadores de redes móviles aprovechan cada vez más las soluciones 32T32R para mejorar la cobertura MIMO masiva en zonas urbanas y suburbanas menos densas. La utilización de soluciones 32T32R requiere el uso de dispositivos de mayor potencia que aumenten el nivel de potencia por canal con el fin de alcanzar la potencia total necesaria para garantizar una fuerte cobertura de la señal 5G.
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