La cartera de productos de NXP de macro GaN de potencia de RF incluye transistores de RF de alta potencia diseñados para cabezas de radio remotas (RRH) en estaciones base celulares. Estos dispositivos están diseñados para unidades de radio de 40 W a 80 W destinadas a infraestructuras 4T4R y 8T8R.
Características
- Encapsulado común en todas las bandas de frecuencia: Encapsulado de plástico sobremoldeado OM-780-4S4S
- Altas impedancias para un rendimiento óptimo de banda ancha
- Diseñado en configuración Doherty asimétrica para un rendimiento de alta eficiencia
- Capaz de soportar una VSWR de salida extremadamente alta y condiciones de funcionamiento de banda ancha
- Magnitud de vector de error (EVM) de GaN de baja memoria mejorada con predistorsión digital (DPD) para una alta linealidad de la señal de RF
- Basado en el proceso GaN de baja memoria de NXP
- Fabricado en la planta de nitruro de galio de NXP en Chandler, Arizona.
Macrotransistores de potencia RF de GaN Cartera
Número de pieza | Gama de frecuencias (MHz) | Pout (Avg W) | Ganancia (dB) | Tensión de alimentación (V) | Disponibilidad | A5G07H800W19NR3 | 717 - 850
| 112
| 19.3
| 50 | Más información / Pedidos |
|---|---|---|---|---|---|
A5G08H800W19NR3
| 865 - 960
| 112
| 19.5
| 50
| Más información / Pedidos
|
A5G18H610W19NR3
| 1805 - 1880
| 85
| 17.5
| 48
| Más información / Pedidos
|
A5G19H605W19NR3
| 1930 - 1995
| 85
| 16.7
| 48
| Más información / Pedidos
|
A5G21H605W19NR3
| 2110 - 2200
| 85
| 16.5
| 48
| Más información / Pedidos
|
A5G26H605W19NR3
| 2496 - 2690
| 85
| 15.3
| 48
| Más información / Pedidos
|
Amplificadores recomendados con transistores Macro GaN de NXP
(Seleccione la gama de frecuencias)
- 48 V GaN
- 48 V GaN
- 48 V GaN
- 48 V GaN
- 48 V GaN
- 48 V GaN
Macro GaN para 5G Infraestructura
La configuración de radio tradicional 4T4R contiene 4 amplificadores de potencia y se utiliza en zonas con una demanda de datos moderada. Las radios 8T8R permiten una formación de haces más compleja para mejorar el alcance de la señal y la capacidad de gestionar más usuarios simultáneos en entornos de mayor densidad, como las comunidades suburbanas.
GAN propietario de baja memoria de NXP
Efecto memoria reducido
(generaciones anteriores de NXP basadas en fundición)
EVM de GaN tradicional
NXP RF Ga EVM
- Aborda el reto de la linealidad de las señales 5G
- Máxima linealidad y menor complejidad del DPD
- Mejora la estabilidad entre impulsos para aplicaciones pulsadas
- Muestra un patrón disperso más amplio
- La megafonía está distorsionando la señal más allá de los niveles deseados
- Los puntos convergen en un único lugar, reproduciendo correctamente la forma de onda
- Permite que la señal 5G llegue al destino
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