En la industria de defensa, la comunicación no sólo es necesaria, sino que es vital. Los transistores RF de NXP han demostrado su robustez y fiabilidad en los entornos más duros.
El MMRF5018HSR5 ya está en producción y disponible para pedidos. El nuevo transistor de potencia de RF de banda ancha MMRF5018HSR5 de 125 W CW es para funcionamiento optimizado en banda ancha hasta 2700 MHz e incluye adaptación de entrada para un rendimiento de ancho de banda ampliado. Con su alta ganancia y gran robustez, este dispositivo es ideal para aplicaciones de CW, pulsos y RF de banda ancha.
MMRF5018HSR5
1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V Transistor de GaN de potencia de RF de banda ancha
Características
Aplicaciones
Ideal para aplicaciones militares de uso final, incluidas las siguientes:
Amplificadores de banda estrecha y banda ancha multioctava
- Radar
- Interferentes
- Pruebas CEM
También adecuado para aplicaciones comerciales:
- Radios móviles públicas, incluidas las de los servicios de emergencia
- Industrial, científica y médica
- Amplificadores de laboratorio de banda ancha
- Infraestructura celular inalámbrica
Rendimiento típico de 450-2700 MHz
VDD = 50 Vcc,TA = 25°C,IDQ = 200 mA
Frecuencia (MHz) | Tipo de señal | Pout(W) | Gps (dB) | ηD (%) | 450-2700(1) | CW | 100 CW | 12.0 | 40.0 |
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MMRF5018HS-450 (EVB) Placa de evaluación
Número de pieza | Banda de frecuencia / Potencia | Descripción del tablero | MMRF5018HS-450 (EVB) | 450-2700 MHz, 125 W | Demostración compacta del mayor ancho de banda con arquitectura microstrip |
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