Estos diseños escalables ofrecen la última serie de soluciones de NXP de preconductores, módulos PA multichip de 50 ohmios y Rx en un factor de forma reducido.
Los diseños de front-end RapidRF de NXP Semiconductors integran un amplificador de potencia de RF, LNA de Rx, un conmutador T/R, un circulador y un controlador de polarización en un tamaño compacto. Incorporan un acoplador para realimentación DPD y deben utilizarse con predistorsión digital.
Las placas de referencia RapidRF son ideales para unidades de radio 5G que requieren una potencia media de transmisión en la antena de 2,5 W a 5,0 W (34 dBm a 37 dBm). Las versiones para distintas bandas utilizan un diseño de PCB común, lo que simplifica tanto el diseño como la fabricación y acelera la comercialización.
- Seleccione el diagrama para ampliarlo
NXP Diseños de Front-End RF LDMOS de 28 V
Número de pieza | Gama de frecuencias | Potencia media de salida | Disponibilidad | RAPIDRF-36SL039 | 3400-3600 MHz | 39 dBm (8 W) a 8,5 dB OBO, a 29 V | Pedir / Más información |
|---|---|---|---|
RAPIDRF-35TL039 | 3400-3600 MHz | 38,5 dBm (7 W) a 9,0 dB OBO, a 26 V | Pedir / Más información |
RAPIDRF-26E39 | 2496-2690 MHz | 39 dBm (8 W) a 8 dB OBO, a 27 V | Pedir / Más información |
RAPIDRF-35D35 | 3400-3600 MHz | 34,8 dBm (3 W) a 8,4 dB OBO, a 24 V | Pedir / Más información |
NXP RapidRF Recursos 5G
Hoja informativa de RapidRF
Hoja informativa de RapidRF
Guía del usuario de Rapid RF Smart LDMOS
Guía del usuario de Rapid RF Smart LDMOS
NXP Recursos 5G
NXP
NXP ofrece la cartera de productos de amplificadores de potencia de RF más amplia disponible para infraestructuras inalámbricas que abarca múltiples niveles de integración.
NXP
NXP
NXP ha presentado una familia de módulos MIMO masivos 5G que utilizan su nueva e innovadora tecnología de paquetes de refrigeración superior.
