NXP acelera los diseños 5G con RapidRF

NXP acelera los diseños 5G con RapidRF

18 de noviembre de 2022

5G

A medida que la Open RAN (O-RAN) continúa desplegándose en todo el mundo, NXP permite despliegues 5G O-RAN más rápidos mediante la creación de diseños de referencia mejorados. Esto incluye un enfoque de RF en los diseños de los clientes con nuestras soluciones RapidRF Smart LDMOS Front-End conocidas como la "Serie SL".
La placa de referencia RapidRF front-end de 2ª generación de NXP se ha diseñado para ahorrar espacio en la placa, reducir la complejidad general y proporcionar un circuito completo listo para usar en aplicaciones celulares TDD. Al igual que las generaciones anteriores, esta RapidRF de 2ª generación implementa amplificadores totalmente adaptados de 50 ohmios de entrada y 50 ohmios de salida. Esto permite una alineación completa sin necesidad de sintonización para facilitar su uso.
Circuito de referencia RapidRF que muestra el diseño completo del PA de NXP, el preconductor, el LNA de Rx con conmutador T/R y un circulador.
Circuito de referencia RapidRF que muestra el diseño completo del PA de NXP, el preconductor, el LNA de Rx con conmutador T/R y un circulador.

La generación de RapidRF ahora también incluye un módulo PA con control de autobias integrado que viene preajustado de fábrica para el punto de polarización óptimo, o puede ajustarse mediante la interfaz serie programable para ajustarse a cada aplicación. El control de autobias integrado cuenta con un novedoso circuito de realimentación en bucle cerrado que ajusta la tensión de puerta LDMOS para mantener una corriente de polarización de reposo constante para un seguimiento continuo de la temperatura.

Logotipo de NXP

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