Transistor RF GaN Airfast de NXP

El A3G26D055N puede utilizarse en varios mercados.
NXP Versátil HEMT de GaN sobre SiC de 55 W

NXP Versátil HEMT de GaN sobre SiC de 55 W

El NXP A3G26D055N es un transistor discreto de GaN de potencia de RF de 100-2690 MHz alojado en un encapsulado DFN de plástico sobremoldeado de 7 x 6,5. Su salida inigualable permite utilizar un amplio rango de frecuencias.

Este dispositivo A3G26D055N de sub-6 GHz funciona en la banda celular de 2,6 GHz, a 39 dBm y a una potencia media de 8 W. Puede utilizarse para unidades de radio MIMO masivas 5G (64T64R), así como para bandas celulares por debajo de 1 GHz como controlador de unidades de radio macro, como los sistemas de antena 4T4R.

Solución GaN versátil para diversos mercados

2,6 GHz Banda celular 64t64R Unidades de radio 5G mMIMO (39 dBm/8 W de potencia media)

<1 GHz Cellular Bands Driver for macro radio units (ex: 4T4R)

Banda ISM de 2,45 GHz. Controlador RF Energy para aplicaciones de cocina, industriales, calefacción/soldadura. RF Energy etapa final de baja potencia (25 W CW) para aplicaciones médicas e industriales.

Comunicaciones tácticas de banda ancha 100-2800 MHz. Etapa final o excitador de 25 W CW de banda ancha y baja potencia para MRF5014H/5018H.

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