Los HEMT de GaN de alta potencia se disputan el territorio de los tubos de vacío

Los HEMT de GaN de alta potencia se disputan el territorio de los tubos de vacío

30 de mayo de 2021

Aeroespacial y defensa, Comunicaciones

Los tubos de vacío utilizados en los transmisores de ondas milimétricas actuales se enfrentan a la creciente amenaza de los HEMT de GaN. Yifeng Wu y Primit Parikh, de Cree, lideran la ofensiva del GaN con diseños que incorporan placas de campo, capas tampón dopadas con hierro y una fina capa intermedia de AlN para ofrecer una potencia récord a 30 GHz.

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