Las ventajas de los amplificadores de RF Wolfspeed GaN-on-SiC están sobradamente documentadas: ofrecen una densidad de potencia y fiabilidad extraordinarias y una eficiencia superior a la de sus homólogos tradicionales basados en GaAs. En este artículo se optimiza un amplificador de RF basado en GaN sobre SiC para aplicaciones de troposcatter de 4,4-5,0 GHz.
En este artículo se revisa la selección de componentes, el diseño en un entorno simulado y la implementación del circuito simulado en hardware. El principal objetivo de desarrollo era producir un diseño de amplificador de potencia compacto para implementarlo en un front-end de RF diseñado por Richardson RFPD. En la Figura 1, que aparece a continuación, se utiliza como ejemplo un amplificador de potencia SATCOM de banda C, que aparece en un recuadro amarillo. Este PA troposcatter es capaz de suministrar 50 W CW de 4,4 a 5 GHz y tiene un requisito de linealidad para menos del 3% EVM bajo una relación pico-potencia media de 10 dB.
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