MACOM
MACOM ofrece una amplia gama de transistores de potencia de GaN sobre SiC para su uso en el diseño de transmisores celulares compatibles con todas las normas y bandas de frecuencia mundiales.
La 5G representa el siguiente paso evolutivo en la infraestructura de telecomunicaciones inalámbricas y está preparada para ofrecer mejoras espectaculares en capacidad, ancho de banda y latencia.
MACOM HEMT de GaN de RF de 28 V para uso general.
El MAAP-011233 de MACOM es un amplificador de potencia de 4 etapas y 4 W ensamblado en un encapsulado de plástico AQFN sin plomo de 5 mm y 32 terminales.
El MASW-011102 de MACOM proporciona un aislamiento de 40 dB y se ofrece en un encapsulado de plástico de montaje en superficie PQFN de 14 terminales y 3 mm sin plomo.
El MAAL-011151 ofrece versatilidad de rendimiento de banda ancha de 2 a 18 GHz para aplicaciones de prueba y medición, EW, ECM y radar.
El MAAP-011298 es un amplificador de potencia de 4 etapas y 2,3 vatios ensamblado en un encapsulado de plástico AQFN de 32 terminales de 5 mm sin plomo.
El objetivo de diseño del CGHV1F025S-AMP4 era crear un circuito de aplicación para radio táctica capaz de operar bajo una señal de amplitud constante como OQPSK.
El MAAM-011238 es un amplificador de banda ancha fácil de usar que funciona de 100 kHz a 50 GHz.
MAMX-011035 es un mezclador de diodos pasivos de GaAs de doble balance alojado en un encapsulado QFN sin plomo de 3 mm y 12 terminales.
