MACOM ofrece una amplia gama de transistores de potencia de GaN sobre SiC para su uso en el diseño de transmisores celulares compatibles con todas las normas y bandas de frecuencia mundiales. La gama incluye el WS1A3940-V1 (módulo amplificador de potencia de GaN sobre SiC de 3700-3980 MHz y 39,5 dBm) y el WSGPA01-V1 (amplificador de potencia de uso general de GaN sobre SiC de 10 W y 5 GHz).
WS1A3940-V1
Módulo amplificador de potencia de GaN sobre SiC de 3700-3980 MHz y 39,5 dBm
El WS1A3940 es un módulo amplificador de potencia Doherty asimétrico (PAM) que integra transistores HEMT de GaN sobre SiC de MACOM con redes avanzadas de adaptación y polarización en un sustrato laminado multicapa con tecnología avanzada de disipación térmica. El PAM se ha diseñado para funcionar entre 3700 MHz y 3980 MHz, con tensiones de alimentación de hasta 50 V, a niveles medios de potencia de salida de 8 a 10 W con factor de cresta reducido y señales LTE y 5G NR predistorsionadas digitalmente con anchos de banda instantáneos de 200 MHz o más. Está alojado en un encapsulado Land Grid Array (LGA) de 6 mm X 6 mm.
- Características y ventajas
- Ganancia: 18 dB
- Eficiencia: 19
- Tensión de funcionamiento: 48 V
- Tipo de envase: Plástico
WSGPA01-V1
Amplificador de potencia de uso general de GaN sobre SiC de 10 W y 5 GHz
- Características y ventajas
- Ganancia: 18 dB
- Eficiencia: 19
- Tensión de funcionamiento: 48 V
- Tipo de envase: Plástico
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