Con este lanzamiento, la cartera de MIMO masivo discreto de NXP cubre ahora todas las bandas de frecuencia celular de 2,3 a 4,0 GHz, aprovechando la última tecnología GaN patentada de NXP.
La 5G representa el siguiente paso evolutivo en la infraestructura de telecomunicaciones inalámbricas y está preparada para ofrecer mejoras espectaculares en capacidad, ancho de banda y latencia.
Este transistor Doherty RF simétrico de GaN de 8 W de potencia está diseñado para aplicaciones de estaciones base celulares que requieren una capacidad de ancho de banda instantáneo muy amplia.
La RF Circuit Collection de NXP es una completa biblioteca de más de 400 diseños de amplificadores de potencia de RF que abordan una amplia gama de mercados de rápido crecimiento, desde infraestructuras de comunicación 5G hasta aplicaciones industriales inteligentes.