- Numéro de pièce Mfg : C3M0025065J1
C3M0025065J1 : MOSFET de puissance en carbure de silicium Technologie MOSFET C3M™ Mode d'amélioration du canal N
- Caractéristiques
- Technologie MOSFET SiC de troisième génération
- Boîtier optimisé avec broche de source de pilotage séparée
- Tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'enclenchement
- Commutation à grande vitesse avec de faibles capacités
- Diode intrinsèque rapide à faible récupération inverse (Qrr)
- Sans halogène, conforme à la directive RoHS
- Avantages
- Réduire les pertes de commutation et minimiser la sonnerie de la porte
- Efficacité accrue du système
- Réduire les besoins en refroidissement
- Augmenter la densité de puissance
- Augmenter la fréquence de commutation du système
- Applications
- Alimentations pour centres de données et télécommunications
- Chargeurs de batterie pour VE
- Convertisseurs DC/DC haute tension
- Systèmes de stockage d'énergie
- Onduleurs solaires
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