Wolfspeed - C3M0025065J1

650 V, 25 mΩ SiC MOSFET der 3. Generation
RFPD
SiC auf Lager: Neuer Wolfspeed 650 V, 25 mΩ SiC MOSFET der 3. Generation

SiC auf Lager: Neuer Wolfspeed 650 V, 25 mΩ SiC MOSFET der 3. Generation

  • Mfg-Teilnummer: C3M0025065J1
C3M0025065J1: Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET C3M™ MOSFET-Technologie N-Kanal Enhancement Mode
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  • Eigenschaften
  • SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation
  • Optimiertes Gehäuse mit separatem Treiber-Source-Pin
  • Hohe Sperrspannung bei geringem Durchlasswiderstand
  • Schnelles Schalten mit geringen Kapazitäten
  • Schnelle intrinsische Diode mit geringer Rückwärtserholung (Qrr)
  • Halogenfrei, RoHS-konform
  • Vorteile
  • Verringerung der Schaltverluste und Minimierung des Gate-Ringings
  • Höhere Systemeffizienz
  • Verringerung des Kühlbedarfs
  • Erhöhung der Leistungsdichte
  • Erhöhung der Schaltfrequenz des Systems
  • Anwendungen
  • Stromversorgungen für Rechenzentren und Telekommunikation
  • EV-Batterieladegeräte
  • Hochspannungs-DC/DC-Wandler
  • Energiespeichersysteme
  • Solar-Wechselrichter
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Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.
 
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