- Numero di parte contraente: 10-EY124PA016ME-LP49F18T
SiC In Stock: Modulo SiC da 1200V, 16mΩ in design compatto e a bassa induttività
- Caratteristiche
- Design compatto e a bassa induttività
- MOSFET SiC ad alta frequenza
- NTC integrato
- Emettitore Kelvin per migliorare le prestazioni di commutazione
- Configurazione dell'emettitore aperto
- Sensore di temperatura
- Alta tensione di blocco con bassa resistenza di drain source on state
- Tecnologia SiC-MOSFET ad alta velocità
- Resistente agli scatti
- Substrato di forma convessa per un contatto termico superiore
- Design compatto
- CTI600 Materiale dell'alloggiamento
- Rilievo termo-meccanico della forza di spinta e di trazione
- Collegamento affidabile con saldatura a freddo al PCB
- Nessun danno ai fori del PCB per consentire il riutilizzo
- Applicazioni
- Stazioni di ricarica
- Alimentazione
- Saldatura e taglio
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