Optimisation des performances des MOSFET GaN

Optimisation des performances des MOSFET GaN

13 janvier 2025

Nitrure de gallium

Dans cette discussion technique, des représentants de Richardson RFPD et d'Exeling s.r.l. examinent une carte d'évaluation de demi-pont GaN co-développée par les deux sociétés. Utilisant des composants clés d'Innoscience (700V, 190mOhm GaN FET), Skyworks (pilote de grille isolé) et RECOM (convertisseur DC-DC), la discussion est centrée sur la compréhension des parasites de la boucle de pilotage de grille et les techniques pour les atténuer. Le rôle de la polarisation négative et les avantages des connexions de source Kelvin sont deux techniques d'atténuation clés examinées.

Les participants :

Michele Sclocchi Field
Ingénieur d'application, énergie et puissance
Richardson RFPD

 

Luca De Guglielmo
Ingénieur en matériel, cofondateur et directeur technique
Exelikng s.r.l.

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