优化氮化镓 MOSFET 性能

优化氮化镓 MOSFET 性能

2025 年 1 月 13 日

氮化镓

在这次技术交流中,睿查森电子 和 Exeling s.r.l 的代表回顾了两家公司共同开发的 GaN 半桥评估板。利用来自 Innoscience(700V、190mOhm GaN FET)、Skyworks(隔离栅极驱动器)和 RECOM(DC-DC 转换器)的关键元件,讨论的中心是了解栅极驱动环路寄生现象和减轻寄生现象的技术。负偏压的作用和开尔文源连接的优势是两项关键的缓解技术。

与会者:

Michele Sclocchi Field
能源与电力应用工程师
睿查森电子

 

Luca De Guglielmo
硬件工程师、联合创始人兼首席技术官
Exelikng s.r.l.

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