Les appareils électroniques qui se trouvent à proximité ou qui partagent des conducteurs communs sont susceptibles de subir des interférences électromagnétiques (IEM) qui peuvent perturber leur fonctionnement. La réduction des émissions est nécessaire pour garantir que les systèmes électriques n'interfèrent pas avec le fonctionnement normal des autres lorsqu'ils sont placés dans le même environnement. Les dispositifs semi-conducteurs de puissance, tels que les IGBT en silicium (Si) et les MOSFET en carbure de silicium (SiC), contribuent fréquemment aux interférences électromagnétiques par conduction en raison des commutations rapides nécessaires à leur fonctionnement. Pendant les transitions de commutation, la tension et le courant traversant le dispositif changent rapidement d'état. Le passage de l'état d'arrêt à l'état de marche produit un dv/dt et un di/dt qui génèrent des interférences électromagnétiques à des fréquences harmoniques de la fréquence de commutation.
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