Elektronische Geräte, die sich in der Nähe befinden oder gemeinsame Leiter haben, sind anfällig für elektromagnetische Störungen (EMI), die ihren Betrieb stören können. Die Minimierung der Emissionen ist notwendig, um sicherzustellen, dass elektrische Systeme den normalen Betrieb nicht gegenseitig stören, wenn sie sich in der gleichen Umgebung befinden. Leistungshalbleiter wie Silizium-(Si)-IGBTs und Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs sind aufgrund der für ihren Betrieb erforderlichen schnellen Schaltvorgänge ein häufiger Verursacher leitungsgebundener EMI. Während der Schaltvorgänge ändern sich die Spannung und der Strom durch das Bauelement schnell. Der Wechsel zwischen Aus- und Ein-Zustand erzeugt ein dv/dt und di/dt, das EMI bei harmonischen Frequenzen der Schaltfrequenz erzeugt.
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