Caractérisation dynamique et méthodes de mesure pour les MOSFET SiC

Caractérisation dynamique et méthodes de mesure pour les MOSFET SiC

20 janvier 2022

Carbure de silicium

Avec des tensions nominales accrues, des températures de fonctionnement plus basses, des capacités de courant plus élevées et de meilleures caractéristiques de récupération, le carbure de silicium (SiC) a permis à plusieurs applications de maximiser l'efficacité et la densité de puissance tout en maintenant les coûts au plus bas.

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