L'utilisation de MOSFET en carbure de silicium (SiC) a permis une distribution d'énergie à haut rendement pour une variété d'applications, telles que la recharge rapide des véhicules électriques, les alimentations électriques, les énergies renouvelables et les infrastructures de réseau. Although their performance is better than traditional silicon MOSFETs and insulated-gate bipolar transistors (IGBTs), the driving methods are somewhat different and must be carefully considered during the design process.
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