26 mars 2019 - Genève, III. :
Richardson RFPD, Inc. a annoncé aujourd'hui la disponibilité et les capacités complètes de support de conception pour une nouvelle famille de E-HEMTs GaN 650 V de GaN Systems Inc.
Les dispositifs GS-065-0xx-1-L sont idéaux pour les applications à faible consommation, y compris la charge, les alimentations, l'éclairage et les appareils électroménagers. Ils présentent les caractéristiques suivantes
- Boîtiers PDFN standard de 5 mm x 6 mm
- Assemblage à l'aide d'un processus SMT standard
- Évolutif : 3,5 A à 11 A dans le même encombrement
- Vitesse de commutation rapide et nette
- Fréquence de commutation élevée (20 MHz+)
- Faibles pertes de commutation
- Faible EMI
- Haute efficacité
- Sens de Kelvin
- Zéro Qrr
- Refroidissement par le bas
POUR PLUS D'INFORMATIONS, VEUILLEZ CONTACTER
DAVE ROSSDEUTCHER
Directeur de la gestion globale des produits - Énergie et électricité
P : 630 262 6800
drossdeutcher@richardsonrfpd.com
Autres caractéristiques clés du GS-065-0xx-1-L :
Numéro de pièce | Tension | Courant RDS(on) | Emballage/Dimensions (mm) |
|---|---|---|---|
GS-065-004-1-L | 650 | 3.5 A
500 mΩ
| 5 x 6 PDFN |
GS-065-008-1-L | 650 | 8 A
225 mΩ
| 5 x 6 PDFN |
GS-065-011-1-L | 650 | 11 A
150 mΩ
| 5 x 6 PDFN |
Pour plus d'informations, ou pour acheter ce produit aujourd'hui en ligne, veuillez visiter la page web GS-065-0xx-1-L; ou veuillez trouver un ingénieur commercial local (dans le monde entier) à l'adresse Local Sales Support. Pour en savoir plus sur les autres produits de GaN Systems, veuillez visiter la page web de la vitrine de GaN Systems.
