11 février 2020 - Genève, III. :

Richardson RFPD, Inc, une société d'Arrow Electronics, a annoncé aujourd'hui la disponibilité et les capacités complètes de support de conception pour un nouveau transistor GaN de puissance RF de NXP Semiconductors.

Le MRF24G300HS est un transistor GaN CW de 300 W conçu pour les applications industrielles, scientifiques et médicales (ISM) à 2450 MHz. Il offre un rendement de drain de 73 % à 2450 MHz, et la densité de puissance élevée du GaN permet au dispositif d'atteindre une puissance de sortie élevée dans un encombrement réduit.

L'appareil peut être utilisé dans des applications à ondes entretenues, à impulsions, cycliques et linéaires, notamment pour le chauffage industriel, le soudage et le scellement thermique, la génération de plasma, l'éclairage, l'instrumentation scientifique, l'ablation par micro-ondes et la diathermie. Cet appareil à gain élevé et à haut rendement est facile à utiliser et offre une longue durée de vie, même dans les environnements les plus exigeants. Les autres caractéristiques principales sont les suivantes :

• Le dispositif peut être utilisé dans une configuration asymétrique ou push-pull.
• Adaptation des entrées pour un circuit d'entrée simplifié
• Qualifié jusqu'à 55 V
• Disponible en boîtier NI-780S-4L

Un support de test est également disponible.

Pour plus d'informations ou pour acheter ces produits en ligne dès aujourd'hui, visitez les pages web MRF24G300HS et MRF24G300HS-2450. Ces produits sont également disponibles en appelant le 1-800-737-6937 (en Amérique du Nord) ou en trouvant un ingénieur commercial local (dans le monde entier) sur le site Local Sales Support. Pour en savoir plus sur les autres produits de NXP, visitez la page web de la vitrine de NXP.