11. Februar 2020 - Genf, III:

Richardson RFPD, Inc., ein Unternehmen von Arrow Electronics, gab heute die Verfügbarkeit und den vollen Design-Support für einen neuen HF-Leistungs-GaN-Transistor von NXP Semiconductors bekannt.

Der MRF24G300HS ist ein 300 W CW GaN-Transistor, der für industrielle, wissenschaftliche und medizinische (ISM) Anwendungen bei 2450 MHz entwickelt wurde. Er bietet einen Drain-Wirkungsgrad von 73 Prozent bei 2450 MHz, und die hohe Leistungsdichte von GaN ermöglicht es dem Bauelement, eine hohe Ausgangsleistung bei kleiner Grundfläche zu erreichen.

Das Gerät eignet sich für den Einsatz in CW-, Puls-, Zyklus- und linearen Anwendungen, einschließlich industrieller Erwärmung, Schweißen und Wärmeversiegelung, Plasmaerzeugung, Beleuchtung, wissenschaftlicher Instrumente, Mikrowellenablation und Diathermie. Dieses Gerät mit hoher Verstärkung und hohem Wirkungsgrad ist einfach zu bedienen und bietet eine lange Lebensdauer selbst in den anspruchsvollsten Umgebungen. Weitere wichtige Merkmale sind:

• Gerät kann in einer Single-Ended- oder Push-Pull-Konfiguration verwendet werden
• Eingangsanpassung für vereinfachte Eingangsschaltung
• Qualifiziert bis zu 55 V
• Erhältlich im Gehäuse NI-780S-4L

Eine Prüfvorrichtung ist ebenfalls erhältlich.

Weitere Informationen und die Möglichkeit, diese Produkte noch heute online zu erwerben, finden Sie auf den Webseiten MRF24G300HS und MRF24G300HS-2450. Die Produkte sind auch unter der Rufnummer 1-800-737-6937 (innerhalb Nordamerikas) erhältlich; oder Sie finden einen lokalen Vertriebsingenieur (weltweit) unter Local Sales Support. Informationen über weitere Produkte von NXP finden Sie auf der NXP Storefront-Webseite.