Richardson RFPD、NXPのRFエネルギー用新GaN-on-SiCトランジスタを発表

Richardson RFPD、NXPのRFエネルギー用新GaN-on-SiCトランジスタを発表

2450MHzのISMアプリケーション用に設計された300W CW GaNトランジスタ

ニュースリリース

2001バターフィールド・ロード、スイート1800
イリノイ州ダウナーズグローブ60515

P: 630 262 6800

F: 630 262 6850

2020年2月11日 - ジュネーブ、III..:

アローエレクトロニクス社傘下のリチャードソンRFPD社は本日、NXPセミコンダクターズ社の新しいRFパワーGaNトランジスタの入手可能性と完全な設計サポート能力を発表しました。

MRF24G300HSは、2450MHzの産業、科学、医療(ISM)アプリケーション向けに設計された300W CW GaNトランジスタです。2450MHzで73%のドレイン効率を実現し、GaNの高電力密度により、小さな実装面積で高出力に達することができます。

このデバイスは、工業用加熱、溶接、ヒートシール、プラズマ発生、照明、科学機器、マイクロ波アブレーション、ジアテルミーを含む、CW、パルス、サイクリング、リニアアプリケーションでの使用に適しています。この高ゲイン、高効率デバイスは使いやすく、最も厳しい環境でも長寿命を実現します。その他の主な特徴は以下の通りです:

  • デバイスはシングルエンドまたはプッシュプル構成で使用可能
  • 入力回路を簡素化するための入力整合
  • 55Vまで認定
  • NI-780S-4Lパッケージで入手可能

 

テストフィクスチャーも用意されている。

MRF24G300HSおよびMRF24G300HS-2450のウェブページをご覧ください。また、これらの製品は、1-800-737-6937(北米内)にお電話いただくか、ローカル・セールス・サポート(世界各地)でお近くのセールス・エンジニアをお探しください。NXPのその他の製品については、NXPストアフロントのウェブページをご覧ください。

詳細はこちらまで

MARK VITELLARO
戦略マーケティング・ディレクター
P: 630 262 6800
mvitellaro@richardsonrfpd.com

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