Ladeuxième génération de RapidRF comprend désormais un module PA avec contrôle autobias intégré, préréglé en usine pour le point de polarisation optimal, ou qui peut être ajusté par l'interface série programmable pour s'adapter à chaque application. La commande autobias intégrée comporte un nouveau circuit de rétroaction en boucle fermée qui ajuste la tension de grille LDMOS pour maintenir un courant de polarisation de repos constant pour un suivi continu de la température.
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Nouvelle famille de transistors Macro GaN de puissance RF de NXP
Le portefeuille de macro-gaN de puissance RF de NXP comprend des transistors RF de haute puissance conçus pour les têtes radio distantes (RRH) dans les stations de base cellulaires.

Amplificateurs RF des principaux fabricants
Richardson RFPD inventorie et prend en charge un large portefeuille de dispositifs de transmission RF provenant des principaux fabricants.