Découvrez les commutateurs RF haute performance de pSemi, conçus pour exceller dans une large gamme d'applications RF. En outre, pSemi a introduit le plus petit module frontal IoT entièrement intégré au monde, conçu pour stimuler l'innovation dans les solutions IoT de la prochaine génération.
Interrupteurs RF SPDT & SP4T
Découvrez les nouveaux commutateurs RF de pSemi, qui offrent une faible perte d'insertion, une isolation élevée, une linéarité exceptionnelle et un temps de stabilisation rapide pour un routage efficace des signaux RF.
La plus petite FEM RF-SOI entièrement intégrée
pSemi est un pionnier de la technologie SOI RF pour une intégration FEM transparente. Leur PE562212, le plus petit PA-LNA-SW IoT FEM au monde, améliore la connectivité et la performance de l'IoT.
Interrupteurs RF SPDT & SP4T de pSemi
PE42528
Commutateur RF UltraCMOS+™ SPDT, 9 kHz-30 GHz
Le PE42528 est un commutateur RF SPDT réfléchissant amélioré par la technologie HaRP™ qui prend en charge une large gamme de fréquences allant de 9 kHz à 30 GHz. Il offre une faible perte d'insertion, un temps de commutation rapide et des performances d'isolation élevées, ce qui rend ce dispositif idéal pour les applications de test et mesure (T&M), 5G mmWave, backhaul micro-ondes, radar et communications par satellite. Aucun condensateur de blocage n'est nécessaire si aucune tension continue n'est présente sur les ports RF.
- Fréquence ultra large : 9 kHz-30 GHz
- Faible perte d'insertion :
- 1,3 dB à 10 GHz
- 1,6 dB à 30 GHz
- IP3 : 48 dBm
- Tenue en puissance : 34 dBm en crête
- Perte de retour élevée : >17 dB sur toute la bande
- Temps de commutation rapide : 8 ns
- Boîtier : LGA à 20 pattes 3×3 mm
PE424201
Commutateur RF SPDT UltraCMOS©, 9 kHz-12 GHz
Le PE424201 est un commutateur RF SPDT réfléchissant amélioré par la technologie HaRP™ qui prend en charge la gamme de fréquences 9 kHz-12 GHz. Il offre une linéarité et une tenue en puissance élevées, ainsi qu'une faible perte d'insertion, idéales pour une utilisation dans une large gamme d'applications RF de haute performance.
- Fréquence de fonctionnement : 9 KHz - 12 GHz
- Design réfléchissant 50Ω
- Haute linéarité : 86 dBm IIP3
- Faible perte d'insertion : 0,4 dB à 8,0 GHz
- Tenue en puissance élevée : 50 dBm en crête
- Perte de retour : 15 dB minimum
- Temps de commutation rapide : 1,5 μs
- Plage de température de fonctionnement : -40 à +105 °C
- Conditionnement : LGA 12 pistes 2,0 × 2,0 mm
PE424202
Commutateur RF SPDT UltraCMOS©, 9 kHz-12 GHz
Le PE424202 est un commutateur RF SPDT réfléchissant amélioré par la technologie HaRP™ qui prend en charge la gamme de fréquences 9 kHz-12 GHz. Il offre une linéarité et une tenue en puissance élevées, ainsi qu'une faible perte d'insertion, idéales pour une utilisation dans une large gamme d'applications RF de haute performance.
- Design réfléchissant 50Ω
- Haute linéarité : 86 dBm IIP3
- Faible perte d'insertion : 0,4 dB à 8,0 GHz
- Puissance élevée à basse fréquence :
- 31 dBm à 100 kHz
- Perte de retour : 15 dB minimum
- Temps de commutation rapide : 8,0 μs
- Plage de température de fonctionnement : -40 à +105 °C
- Conditionnement : LGA 12 pistes 2,0 × 2,0 mm
PE42429
Commutateur RF SPDT à faible perte d'insertion UltraCMOS©, 10 MHz-8,5 GHz
Le PE42429 est un commutateur RF SPDT amélioré par la technologie HaRP™, conçu pour être utilisé dans les infrastructures sans fil 4G/5G et d'autres applications RF hautes performances. Il se compose de deux ports RF symétriques avec une isolation très élevée jusqu'à 8,5 GHz.
- Fréquence de fonctionnement : 10 MHz à 8,5 GHz
- Isolation élevée : 40 dB à 8,5 GHz
- Faible perte d'insertion : 1 dB à 8,5 GHz
- Haute linéarité : 68 dBm IIP3
- Temps de commutation rapide : 600 ns
- Plage de température de fonctionnement : -40 à +105 °C
- Conditionnement : QFN à 12 pattes de 2,0 × 2,0 mm
PE42529
Commutateur RF SPDT UltraCMOS© à faible perte d'insertion, 9 kHz-8,5 GHz
Le PE42529 est un commutateur RF SPDT amélioré par la technologie HaRP™, conçu pour être utilisé dans les applications de test/ATE et autres applications RF de haute performance. Il se compose de deux ports RF symétriques avec une isolation très élevée jusqu'à 8,5 GHz.
- Puissance élevée à basse fréquence :
- 10 dBm à 9 kHz
- 15 dBm à 100 MHz
- Isolation élevée : 40 dB à 8,5 GHz
- Faible perte d'insertion : 1 dB à 8,5 GHz
- Haute linéarité : 68 dBm IIP3
- Temps de commutation rapide : 1,9 μs
- Plage de température de fonctionnement : -40 à +105 °C
- Conditionnement : QFN à 12 pattes de 2,0 × 2,0 mm
PE42544
Commutateur RF UltraCMOS© SP4T à haute isolation, 10 MHz-8,5 GHz
Le PE42544 est un commutateur RF SP4T amélioré par la technologie HaRP™, conçu pour être utilisé dans les applications de test/ATE et autres applications RF de haute performance. Il se compose de quatre ports RF symétriques avec une isolation très élevée jusqu'à 8,5 GHz.
- Fréquence de fonctionnement : 10 MHz à 8,5 GHz
- Isolation élevée : 40 dB à 6 GHz
- Faible perte d'insertion : 1,3 dB à 8,5 GHz
- Haute linéarité : 61 dBm IIP3
- Temps de commutation rapide : 350 ns
- Plage de température de fonctionnement : -40 à +105 °C
- Conditionnement : QFN à 20 pattes de 3,0 × 3,0 mm
PE42448
Commutateur RF UltraCMOS+™ SP4T, 2,3 GHz-5 GHz
Le PE42448 se caractérise par une faible perte d'insertion, mesurée à 0,5 dB à 2,6 GHz et à 0,6 dB à 3,8 GHz, ainsi que par une linéarité élevée, atteignant une valeur IIP3 de 88,5 dBm. Il est capable de gérer une puissance élevée, avec une puissance efficace de 39,5 dBm et un rapport crête-moyenne (PAR) de 11 dB. Le dispositif fonctionne à des températures allant jusqu'à +115 °C et est logé dans un boîtier LGA à 20 pattes de 4 × 4 mm.
- Faible perte d'insertion :
- 0,5 dB à 2,6 GHz
- 0,6 dB à 3,8 GHz
- Haute linéarité IIP3 : 88,5 dBm
- Tenue en puissance élevée : 40 dBm CW, 52 dBm peak
- Température de fonctionnement : +115 °C
- Conditionnement : LGA à 20 pattes 4 × 4 mm
PE42549
Commutateur RF UltraCMOS© SP4T à faible perte d'insertion, 9 kHz-8,5 GHz
Le PE42549 est un commutateur RF SP4T amélioré par la technologie HaRP™, conçu pour être utilisé dans les applications de test/ATE et autres applications RF de haute performance. Il se compose de quatre ports RF symétriques avec une isolation très élevée jusqu'à 8,5 GHz.
- Puissance élevée à basse fréquence :
- 5 dBm à 9 kHz
- 15 dBm à 100 MHz
- Isolation élevée : 39 dB à 6 GHz
- Faible perte d'insertion : 1,6 dB à 8,5 GHz
- Haute linéarité : 61 dBm IIP3
- Temps de commutation rapide : 1,9 μs
- Plage de température de fonctionnement : -40 à +105 °C
- Conditionnement : QFN à 20 pattes de 3,0 × 3,0 mm
