了解 pSemi 的高性能射频开关，它们专为广泛的射频应用而设计。此外，pSemi 还推出了全球最小的全集成物联网前端模块，专为推动下一代物联网解决方案的创新而量身定制。
最小的全集成 RF-SOI FEM
pSemi 率先采用射频 SOI 技术实现无缝 FEM 集成。他们的 PE562212 是世界上最小的 PA-LNA-SW IoT FEM，可增强 IoT 连接性和性能。
SPDT 和 SP4T 射频开关 来自 pSemi
PE42528
UltraCMOS+™ SPDT 射频开关，9 kHz-30 GHz
PE42528 是一款 HaRP™ 技术增强型反射式 SPDT 射频开关，支持 9 kHz 至 30 GHz 的宽频率范围。它具有插入损耗低、开关时间快和隔离性能高等特点，是测试与测量 (T&M)、5G 毫米波、微波回程、雷达和卫星通信应用的理想之选。如果射频端口不存在直流电压，则无需阻塞电容器。
- 超宽频率：9 千赫-30 千兆赫
- 插入损耗低：
- 1.3 分贝 @ 10 千兆赫
- 1.6 分贝 @ 30 千兆赫
- IP3: 48 dBm
- 功率处理：峰值 34 dBm
- 高回波损耗：整个频段 >17 dB
- 快速开关时间：8 毫微秒
- 封装：20 引线 3×3 毫米 LGA
PE424201
UltraCMOS© SPDT 射频开关，9 kHz-12 GHz
PE424201 是一款 HaRP™ 技术增强型反射式 SPDT 射频开关，支持 9 kHz-12 GHz 频率范围。它具有高线性度、高功率处理能力和低插入损耗，是各种高性能射频应用的理想之选。
- 工作频率：9 千赫兹 - 12 千兆赫
- 反光 50Ω 设计
- 高线性度：86 dBm IIP3
- 插入损耗低：0.4 dB @ 8.0 GHz
- 高功率处理：50 dBm 峰值
- 回波损耗：最小 15 dB
- 快速开关时间：1.5 μs
- 工作温度范围：-40 至 +105 °C
- 封装：12 引线 2.0 × 2.0 毫米 LGA
PE424202
UltraCMOS© SPDT 射频开关，9 kHz-12 GHz
PE424202 是一款 HaRP™ 技术增强型反射式 SPDT 射频开关，支持 9 kHz-12 GHz 频率范围。它具有高线性度、高功率处理能力和低插入损耗，是各种高性能射频应用的理想之选。
- 反光 50Ω 设计
- 高线性度：86 dBm IIP3
- 插入损耗低：0.4 dB @ 8.0 GHz
- 低频时具有高功率处理能力：
- 31 dBm @ 100 kHz
- 回波损耗：最小 15 dB
- 快速切换时间：8.0 μs
- 工作温度范围：-40 至 +105 °C
- 封装：12 引线 2.0 × 2.0 毫米 LGA
PE42429
低插入损耗 UltraCMOS© SPDT 射频开关，10 MHz-8.5 GHz
PE42429 是一款 HaRP™ 技术增强型 SPDT 射频开关，设计用于 4G/5G 无线基础设施和其他高性能射频应用。它由两个对称射频端口组成，具有高达 8.5 GHz 的极高隔离度。
- 工作频率：10 兆赫至 8.5 千兆赫
- 高隔离度：40 dB @ 8.5 GHz
- 插入损耗低：1 dB @ 8.5 千兆赫
- 高线性度：68 dBm IIP3
- 快速开关时间：600 毫微秒
- 工作温度范围：-40 至 +105 °C
- 封装：12 引线 2.0 × 2.0 毫米 QFN
PE42529
低插入损耗 UltraCMOS© SPDT 射频开关，9 kHz-8.5 GHz
PE42529 是一款 HaRP™ 技术增强型 SPDT 射频开关，设计用于测试/ATE 和其他高性能射频应用。它由两个对称射频端口组成，具有高达 8.5 GHz 的极高隔离度。
- 低频时具有高功率处理能力：
- 10 dBm @ 9 kHz
- 15 dBm @ 100 MHz
- 高隔离度：40 dB @ 8.5 GHz
- 插入损耗低：1 dB @ 8.5 千兆赫
- 高线性度：68 dBm IIP3
- 快速开关时间：1.9 μs
- 工作温度范围：-40 至 +105 °C
- 封装：12 引线 2.0 × 2.0 毫米 QFN
PE42544
高隔离 UltraCMOS© SP4T 射频开关，10 MHz-8.5 GHz
PE42544 是一款 HaRP™ 技术增强型 SP4T 射频开关，设计用于测试/ATE 和其他高性能射频应用。它由四个对称射频端口组成，具有高达 8.5 GHz 的极高隔离度。
- 工作频率：10 兆赫至 8.5 千兆赫
- 高隔离度：40 dB @ 6 千兆赫
- 插入损耗低：1.3 dB @ 8.5 千兆赫
- 高线性度：61 dBm IIP3
- 快速开关时间：350 毫微秒
- 工作温度范围：-40 至 +105 °C
- 封装：20 引线 3.0 × 3.0 毫米 QFN
PE42448
UltraCMOS+™ SP4T 射频开关，2.3 GHz-5 GHz
PE42448 具有低插入损耗（2.6 GHz 时为 0.5 dB，3.8 GHz 时为 0.6 dB）和高线性度（IIP3 值为 88.5 dBm）的特点。它能够处理高功率，有效值功率为 39.5 dBm，峰均比 (PAR) 为 11 dB。该器件工作温度高达 +115 °C，采用 20 引线 4 × 4 mm LGA 封装。
- 插入损耗低：
- 0.5 分贝 @ 2.6 千兆赫
- 0.6 分贝 @ 3.8 千兆赫
- 高线性度 IIP3：88.5 dBm
- 高功率处理能力：40 dBm CW，52 dBm 峰值
- 工作温度+115 °C
- 封装：20 引线 4 × 4 毫米 LGA
PE42549
低插入损耗 UltraCMOS© SP4T 射频开关，9 kHz-8.5 GHz
PE42549 是一款 HaRP™ 技术增强型 SP4T 射频开关，设计用于测试/ATE 和其他高性能射频应用。它由四个对称射频端口组成，具有高达 8.5 GHz 的极高隔离度。
- 低频时具有高功率处理能力：
- 5 dBm @ 9 kHz
- 15 dBm @ 100 MHz
- 隔离度高：39 dB @ 6 千兆赫
- 插入损耗低：1.6 dB @ 8.5 千兆赫
- 高线性度：61 dBm IIP3
- 快速开关时间：1.9 μs
- 工作温度范围：-40 至 +105 °C
- 封装：20 引线 3.0 × 3.0 毫米 QFN
