Descubra los conmutadores de RF de alto rendimiento de pSemi, diseñados para sobresalir en una amplia gama de aplicaciones de RF. Además, pSemi ha presentado el módulo front-end IoT totalmente integrado más pequeño del mundo, diseñado para impulsar la innovación en soluciones IoT de próxima generación.
Interruptores SPDT y SP4T RF
Descubra los nuevos conmutadores de RF de pSemi, que ofrecen baja pérdida de inserción, alto aislamiento, linealidad excepcional y tiempo de establecimiento rápido para un enrutamiento eficiente de la señal de RF.
El MEF RF-SOI más pequeño y totalmente integrado
pSemi es pionera en la tecnología RF SOI para una integración FEM perfecta. Su PE562212, el PA-LNA-SW IoT FEM más pequeño del mundo, mejora la conectividad y el rendimiento IoT.
SPDT & SP4T Interruptores RF de pSemi
PE42528
UltraCMOS+™ Interruptor SPDT RF, 9 kHz-30 GHz
El PE42528 es un conmutador SPDT RF reflexivo mejorado con tecnología HaRP™ que admite un amplio rango de frecuencias de 9 kHz a 30 GHz. Ofrece baja pérdida de inserción, tiempo de conmutación rápido y alto rendimiento de aislamiento, lo que hace que este dispositivo sea ideal para aplicaciones de prueba y medición (T&M), 5G mmWave, backhaul de microondas, radar y comunicaciones por satélite. No se necesitan condensadores de bloqueo si no hay tensión continua en los puertos de RF.
- Frecuencia ultraancha: 9 kHz-30 GHz
- Baja pérdida de inserción:
- 1,3 dB a 10 GHz
- 1,6 dB a 30 GHz
- IP3: 48 dBm
- Manejo de potencia: 34 dBm pico
- Elevadas pérdidas de retorno: >17 dB en toda la banda
- Tiempo de conmutación rápida: 8 ns
- Encapsulado: LGA de 20 terminales de 3×3 mm
PE424201
Interruptor RF SPDT UltraCMOS©, 9 kHz-12 GHz
El PE424201 es un conmutador de RF SPDT reflexivo mejorado con tecnología HaRP™ que admite el rango de frecuencias de 9 kHz-12 GHz. Ofrece alta linealidad, manejo de alta potencia y baja pérdida de inserción ideal para su uso en una amplia gama de aplicaciones de RF de alto rendimiento.
- Frecuencia de funcionamiento: 9 KHz - 12 GHz
- Diseño reflectante 50Ω
- Alta linealidad: 86 dBm IIP3
- Baja pérdida de inserción: 0,4 dB a 8,0 GHz
- Manejo de alta potencia: 50 dBm pico
- Pérdida de retorno: 15 dB mínimo
- Tiempo de conmutación rápida: 1,5 μs
- Temperatura de funcionamiento: de -40 a +105 °C
- Embalaje: LGA de 12 terminales de 2,0 × 2,0 mm
PE424202
Interruptor RF SPDT UltraCMOS©, 9 kHz-12 GHz
El PE424202 es un conmutador SPDT RF reflexivo mejorado con tecnología HaRP™ que admite el rango de frecuencias de 9 kHz-12 GHz. Ofrece alta linealidad, manejo de alta potencia y baja pérdida de inserción ideal para su uso en una amplia gama de aplicaciones de RF de alto rendimiento.
- Diseño reflectante 50Ω
- Alta linealidad: 86 dBm IIP3
- Baja pérdida de inserción: 0,4 dB a 8,0 GHz
- Gran potencia a baja frecuencia:
- 31 dBm a 100 kHz
- Pérdida de retorno: 15 dB mínimo
- Tiempo de conmutación rápida: 8,0 μs
- Temperatura de funcionamiento: de -40 a +105 °C
- Embalaje: LGA de 12 terminales de 2,0 × 2,0 mm
PE42429
Interruptor RF SPDT UltraCMOS© de baja pérdida de inserción, 10 MHz-8,5 GHz
El PE42429 es un conmutador RF SPDT mejorado con tecnología HaRP™ diseñado para su uso en infraestructuras inalámbricas 4G/5G y otras aplicaciones RF de alto rendimiento. Consta de dos puertos RF simétricos con aislamiento muy alto hasta 8,5 GHz.
- Frecuencia de funcionamiento: de 10 MHz a 8,5 GHz
- Alto aislamiento: 40 dB a 8,5 GHz
- Baja pérdida de inserción: 1 dB a 8,5 GHz
- Alta linealidad: 68 dBm IIP3
- Tiempo de conmutación rápida: 600 ns
- Temperatura de funcionamiento: de -40 a +105 °C
- Embalaje: QFN de 12 terminales de 2,0 × 2,0 mm
PE42529
Interruptor RF SPDT UltraCMOS© de baja pérdida de inserción, 9 kHz-8,5 GHz
El PE42529 es un conmutador de RF SPDT con tecnología HaRP™ mejorada diseñado para su uso en pruebas/ATE y otras aplicaciones de RF de alto rendimiento. Consta de dos puertos RF simétricos con aislamiento muy alto hasta 8,5 GHz.
- Gran potencia a baja frecuencia:
- 10 dBm a 9 kHz
- 15 dBm a 100 MHz
- Alto aislamiento: 40 dB a 8,5 GHz
- Baja pérdida de inserción: 1 dB a 8,5 GHz
- Alta linealidad: 68 dBm IIP3
- Tiempo de conmutación rápida: 1,9 μs
- Temperatura de funcionamiento: de -40 a +105 °C
- Embalaje: QFN de 12 terminales de 2,0 × 2,0 mm
PE42544
Conmutador RF UltraCMOS© SP4T de alto aislamiento, 10 MHz-8,5 GHz
El PE42544 es un conmutador de RF SP4T mejorado con tecnología HaRP™ diseñado para su uso en pruebas/ATE y otras aplicaciones de RF de alto rendimiento. Consta de cuatro puertos RF simétricos con aislamiento muy alto hasta 8,5 GHz.
- Frecuencia de funcionamiento: de 10 MHz a 8,5 GHz
- Alto aislamiento: 40 dB a 6 GHz
- Baja pérdida de inserción: 1,3 dB a 8,5 GHz
- Alta linealidad: 61 dBm IIP3
- Tiempo de conmutación rápida: 350 ns
- Temperatura de funcionamiento: de -40 a +105 °C
- Embalaje: QFN de 20 terminales de 3,0 × 3,0 mm
PE42448
UltraCMOS+™ SP4T RF Switch, 2,3 GHz-5 GHz
El PE42448 presenta una baja pérdida de inserción, medida en 0,5 dB a 2,6 GHz y 0,6 dB a 3,8 GHz, junto con una alta linealidad, alcanzando un valor IIP3 de 88,5 dBm. Es capaz de manejar altas potencias, con una potencia RMS de 39,5 dBm y una relación pico/media (PAR) de 11 dB. El dispositivo funciona a temperaturas de hasta +115 °C y está alojado en un encapsulado LGA de 20 terminales de 4 × 4 mm.
- Baja pérdida de inserción:
- 0,5 dB a 2,6 GHz
- 0,6 dB a 3,8 GHz
- Alta linealidad IIP3: 88,5 dBm
- Manejo de alta potencia: 40 dBm CW, 52 dBm pico
- Temperatura de funcionamiento: +115 °C
- Embalaje: LGA de 20 terminales de 4 × 4 mm
PE42549
Conmutador RF UltraCMOS© SP4T de baja pérdida de inserción, 9 kHz-8,5 GHz
El PE42549 es un conmutador de RF SP4T mejorado con tecnología HaRP™ diseñado para su uso en pruebas/ATE y otras aplicaciones de RF de alto rendimiento. Consta de cuatro puertos RF simétricos con aislamiento muy alto hasta 8,5 GHz.
- Gran potencia a baja frecuencia:
- 5 dBm a 9 kHz
- 15 dBm a 100 MHz
- Alto aislamiento: 39 dB a 6 GHz
- Baja pérdida de inserción: 1,6 dB a 8,5 GHz
- Alta linealidad: 61 dBm IIP3
- Tiempo de conmutación rápida: 1,9 μs
- Temperatura de funcionamiento: de -40 a +105 °C
- Embalaje: QFN de 20 terminales de 3,0 × 3,0 mm
