- Numéro de pièce fabricant : ICP2840-1-110I
Le ICP2840-1-110I est un amplificateur de puissance MMIC en bande Ka fabriqué en utilisant la technologie GaN SiC 0.15µm. Il atteint une puissance de sortie saturée de 39 dBm entre 27,5 et 31 GHz, avec un PAE de 22% et un gain de petit signal de 22dB. La topologie équilibrée fournit une excellente adaptation d'entrée et de sortie à large bande à 50O et les condensateurs de blocage DC assurent une intégration simple. Les excellentes caractéristiques de linéarité font de l'ICP2840 une solution idéale pour les applications dans le domaine des communications par satellite. Les composants sont testés à 100% en DC et RF sur le wafer, ce qui garantit la conformité aux spécifications électriques.
- Caractéristiques et avantages
- Gamme de fréquences : 27,5-31 GHz
- Pout : 39,5 dBm (PIN = 24 dBm)
- PAE : 22% (PIN = 24 dBm)
- Gain du petit signal : 22dB (28 GHz)
- Drain Bias 24 V, IDQ=112-224 mA
En rapport Contenu
RF et micro-ondes
Amplificateurs RF des principaux fabricants
Richardson RFPD inventorie et prend en charge un large portefeuille de dispositifs de transmission RF provenant des principaux fabricants.
4 juin 2024
RF et micro-ondes
Amplificateurs MMIC RF de Microchip, prescalers et produits de contrôle
Répondez aux besoins de votre application et intégrez des circuits intégrés monolithiques hyperfréquences (MMIC) à haute linéarité et à faible bruit avec les amplificateurs RF à faible bruit, les prescalers et les produits de contrôle de Microchip.
18 septembre 2023
RF et micro-ondes
En vedette GaN pour l'avionique et les radars
Microchip propose des transistors discrets à haute performance, à base de GaN sur SiC et de HEMT (High Electron Mobility Transistor), pour les radiofréquences et les hyperfréquences en ondes entretenues et pulsées.
30 mai 2022
