Le marché mondial des semi-conducteurs de puissance RF est actuellement évalué à environ 1,5 milliard de dollars1. Ces dispositifs fournissent l'amplification RF pour une grande variété d'applications, de l'IRM aux émetteurs de radiodiffusion, en passant par les systèmes radar et les stations de base cellulaires. Le choix de la bonne catégorie de composants est essentiel pour développer des systèmes d'amplification qui répondent aux exigences de performance, de taille, de coût et de délai de mise sur le marché, et il existe de nombreuses options à prendre en compte. Ce document couvre les options de construction de composants disponibles pour toutes les technologies d'amplificateurs de puissance RF, y compris, mais sans s'y limiter, le GaN.

Il existe trois dispositifs semi-conducteurs de puissance RF largement disponibles : les transistors discrets, les transistors à effet de champ à adaptation d'impédance (IMFET) et les circuits intégrés d'amplification MMIC. La première partie de ce document traite de la proposition de valeur unique de chaque dispositif. La discussion porte à présent sur les applications et les cas d'utilisation.

Introduction

La première partie de ce document, "Discrete RF Power Transistor, IMFET, or Power Amplifier IC... Which is Best ?" (Transistor de puissance RF discret, IMFET ou circuit intégré d'amplification de puissance... Quel est le meilleur ?) a abordé les différents types de dispositifs semi-conducteurs de puissance RF, leurs caractéristiques distinctives et quelques exemples. Il est important d'aborder également les applications et les cas d'utilisation.

Les dispositifs de puissance RF sont développés grâce à une collaboration directe entre les fabricants de composants, les distributeurs et les utilisateurs finaux. Invariablement, ces dispositifs sont développés pour un ou plusieurs cas d'utilisation spécifiques. Comme indiqué dans le premier article, le fabricant de composants analyse le marché pour associer les caractéristiques et attributs appropriés à une clientèle potentielle et à un volume de production attendu. Il s'agit généralement de délibérations intenses.

Étant donné que ces produits sont destinés à des cas d'utilisation spécifiques, il convient d'étudier les applications typiques et de voir comment les types de semi-conducteurs de puissance RF (transistor discret, IMFET, amplificateur MMIC) peuvent être adaptés à ces systèmes. Les applications examinées dans ce document comprennent l'avionique et le radar, la radio mobile terrestre, la guerre électronique, les communications par satellite, l'infrastructure sans fil et les applications industrielles, scientifiques et médicales (ISM).