L'émergence de nouveaux matériaux semi-conducteurs tels que le GaN a ouvert la voie à des niveaux de puissance plus élevés couvrant de larges bandes passantes. Les dispositifs GaAs à longueur de grille plus courte ont permis d'étendre les gammes de fréquences de 20 GHz à 40 GHz et au-delà. La littérature montre que la fiabilité de ces dispositifs dépasse le million d'heures, ce qui les rend omniprésents dans les systèmes électroniques modernes. Nous nous attendons à ce que la tendance à l'augmentation des fréquences et à l'élargissement de la bande passante se poursuive à l'avenir.
En rapport Contenu

Comment rendre une solution de prédistorsion numérique pratique et pertinente ?
La performance statique doit être étayée par la capacité à maintenir la performance et la stabilité dans un environnement complexe où de nombreux éléments sont en mouvement.

Comment rendre une solution de prédistorsion numérique pratique et pertinente ?
La transition rapide vers la 5G introduit une pléthore de nouveaux défis et scénarios auxquels les développeurs d'algorithmes et les fournisseurs d'équipements doivent prêter plus d'attention.

Un émetteur-récepteur hautement intégré avec un frontal RF réduit le temps et les ressources de conception
Les ingénieurs de Richardson RFPD et d'autres ont fait équipe avec Analog Devices pour introduire un nouvel émetteur-récepteur hautement intégré et ont construit des SoM et des frontaux RF pour s'interfacer avec lui.