Découvrez comment le système de test de charge inductive bridée (CIL) pour MOSFET SiC de Wolfspeed peut vous aider à modéliser avec précision votre conception.

Wolfspeed a lancé une famille de modules sans plaque de base pour répondre aux exigences des applications de moyenne puissance, offrant des solutions dans le continuum de l'électronique de puissance.

C3M0025065J1 : MOSFET de puissance en carbure de silicium Technologie MOSFET C3M™ Mode d'amélioration du canal N

Wolfspeed étend son leadership technologique SiC avec l'introduction de MOSFETs 650V de 3ème génération, permettant une conversion de puissance plus petite, plus légère et très efficace dans une gamme encore plus large de systèmes de puissance.

L'offre comprend des transistors discrets, des FET à impédance adaptée et des amplificateurs MMIC à plusieurs étages.

La 5G représente la prochaine étape de l'évolution de l'infrastructure des télécommunications sans fil et devrait apporter des améliorations considérables en termes de capacité, de largeur de bande et de temps de latence.

Ce livre blanc met en évidence la vaste gamme de SiC de Wolfspeed adaptés à de nombreuses applications différentes, ainsi que les outils en ligne disponibles pour aider les clients à évaluer rapidement les pièces pour leurs systèmes.

Alors que de nombreux concepteurs de systèmes d'alimentation se concentrent sur la qualification, la fiabilité et la cohérence de l'alimentation au niveau des dispositifs en carbure de silicium, nous examinons comment Wolfspeed met l'accent sur les différences entre les tests de fiabilité et les tests de qualification.

Dans cette discussion technique, nous abordons la question souvent posée de savoir comment le carbure de silicium (SiC) se compare aux technologies concurrentes.

Dans ce Tech Chat, nous discutons des différents niveaux de commande de grille des MOSFET SiC Wolfspeed Gen3 - comment l'ajout d'une polarisation de grille négative améliore l'immunité au bruit.