ウォルフスピードのSiC MOSFETクランプ誘導負荷（CIL）テストシステムが、設計の正確なモデリングにどのように役立つかをご覧ください。

ウォルフスピードは、中電力アプリケーションの要件を満たすベースプレートレスモジュールファミリーを発表し、パワーエレクトロニクス全般にわたるソリューションを提供します。

C3M0025065J1: 炭化ケイ素パワーMOSFET C3M™ MOSFET テクノロジー Nチャンネルエンハンスメントモード

ウォルフスピードは、第3世代650V MOSFETの発表により、SiC技術のリーダーシップを拡大し、より広範な電力システムにおいて、より小型、軽量、高効率の電力変換を可能にします。

ディスクリート・トランジスタ、インピーダンス整合FET、多段MMICアンプを提供

5Gは、無線通信インフラにおける次の進化のステップであり、容量、帯域幅、遅延の劇的な改善を実現する準備が整っている。

このホワイトペーパーでは、さまざまな用途に適したウォルフスピードの幅広いSiCポートフォリオと、顧客がシステム用の部品を迅速に評価するのに役立つWebベースのツールを紹介しています。

多くの電源設計者が炭化ケイ素デバイスレベルの認定、信頼性、一貫供給に注目している中、ウルフスピードが信頼性試験と認定試験の違いをどのように強調しているかを掘り下げます。

この技術チャットでは、炭化ケイ素（SiC）と競合技術との比較について、よく聞かれる質問に取り組みます。

この技術チャットでは、Wolfspeed Gen3 SiC MOSFETのさまざまなゲート駆動レベルについて、また、負のゲートバイアスを追加することでノイズ耐性がどのように向上するかについて説明します。