- Numero di parte di Mfg: MSC025SMA120J
I MOSFET in carburo di silicio (SiC) di Microchip Technology offrono prestazioni dinamiche e termiche superiori rispetto ai tradizionali MOSFET di potenza in silicio (Si). Questi MOSFET sono caratterizzati da basse capacità, bassa carica di gate, rapida velocità di commutazione e buona resistenza alle valanghe.
- Caratteristiche
- Basse capacità e bassa carica di gate
- Velocità di commutazione rapida grazie alla bassa resistenza interna di gate (ESR)
- Funzionamento stabile ad alta temperatura di giunzione, TJ(max) = +175C
- Diodo corpo veloce e affidabile
- Resistenza superiore alle valanghe
- Conforme alla direttiva RoHS
- Tensione isolata fino a 2500 V
- Vantaggi
- Alta efficienza per consentire un sistema più leggero e compatto
- Semplice da guidare e facile da mettere in parallelo
- Migliori capacità termiche e minori perdite di commutazione
- Elimina la necessità di un diodo di freewheeling esterno
- Riduzione dei costi di gestione del sistema
- Applicazioni
- Inverter fotovoltaici, convertitori e azionamenti per motori industriali
- Trasmissione e distribuzione di reti intelligenti
- Riscaldamento a induzione e saldatura
- Propulsore H/EV e caricatore EV
- Alimentazione e distribuzione di energia
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